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FIB雙束電鏡
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- 更新日期：2025-09-10
- 產(chǎn)品介紹：新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，可滿足材料科學(xué)研究人員和工程師對(duì)廣泛的 FIB-SEM 使用需求，即使是有挑戰(zhàn)性的樣品。
- 廠商性質(zhì)：代理商
產(chǎn)品介紹
| 品牌 | FEI/賽默飛 |
|---|
新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡具有 Helios 5 產(chǎn)品系列高性能成像和分析性能。它經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，可滿足材料科學(xué)研究人員和工程師對(duì)廣泛的 FIB-SEM 使用需求，即使是具有挑戰(zhàn)性的樣品。
Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡重新定義了高分辨率成像的標(biāo)準(zhǔn)：較高的材料對(duì)比度，快、簡單、準(zhǔn)確的高質(zhì)量樣品制備，用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描（APT）以及高質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經(jīng)考驗(yàn)的性能基礎(chǔ)上，新一代的 Helios 5 DualBeam 進(jìn)行了改進(jìn)優(yōu)化，所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動(dòng)或自動(dòng)工作流程的運(yùn)行狀態(tài)。
更易于使用：
Helios 5 是所有體驗(yàn)級(jí)別用戶容易使用的 DualBeam。操作員培訓(xùn)可以從幾個(gè)月縮短到幾天，系統(tǒng)設(shè)計(jì)可幫助所有操作員在各種高級(jí)應(yīng)用程序上實(shí)現(xiàn)一致、可重復(fù)的結(jié)果。
提高了生產(chǎn)率：
Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的優(yōu)良自動(dòng)化功能，增強(qiáng)的穩(wěn)健性和穩(wěn)定性允許無人值守甚至夜間操作，顯著提高樣品制備通量。
改善時(shí)間和結(jié)果：
Helios 5 DualBeam 現(xiàn)在包括 FLASH，這是一種調(diào)整圖像的新概念。對(duì)于傳統(tǒng)的顯微鏡，每次操作員需要獲取圖像時(shí)，必須通過迭代對(duì)中仔細(xì)調(diào)整顯微鏡。使用 Helios 5 DualBeam，屏幕上的簡單手勢(shì)將激活 FLASH，將自動(dòng)調(diào)整這些參數(shù)。自動(dòng)調(diào)整可以顯著提高通量、數(shù)據(jù)質(zhì)量并簡化高質(zhì)量圖像的采集。
半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)參數(shù)：
Helios 5 CX | Helios 5 HP | Helios 5 UX | Helios 5 HX | Helios 5 FX | ||
樣品制備與XHR掃描電鏡成像 | 終樣品制備(TEM薄片，APT) | STEM亞納米成像與樣品制備 | ||||
SEM | 著陸電壓 | 20ev-30kev | 20ev-30kev | |||
分辨率 | 0.6nm@15kev 1.0nm@1kev | 0.6nm@2kev 0.7nm@1kev 1.0nm@500ev | ||||
STEM | 分辨率@30kev | 0.7nm | 0.6nm | 0.3nm | ||
FIB制備過程 | 大材料去除束流 | 65nA | 100nA | 65nA | ||
終優(yōu)拋光電壓 | 2kv | 500v | ||||
TEM樣品制備 | 樣品厚度 | 50nm | 15nm | 7nm | ||
自動(dòng)化 | 否 | 是 | 是 | |||
樣品處理 | 行程 | 110×110×65mm | 110×110×65mm | 150×150×10mm | 100×100×20mm | 100×100×20mm+5軸（S）TEMCompustage |
負(fù)載鎖 | 手動(dòng) | 自動(dòng) | 手動(dòng) | 自動(dòng) | 自動(dòng)+自動(dòng)插入/提取STEM桿 | |
材料科學(xué)行業(yè)技術(shù)參數(shù)：
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| Helios 5 CX | Helios 5 UX |
離子光學(xué) |
| 具有*的高電流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒 | 具有*的大電流和低電壓性能的Phoenix離子鏡筒 |
離子束電流范圍 | 1 pA – 100 nA | 1 pA – 65 nA | |
加速電圧 | 500 V – 30 kV | 500 V – 30 kV | |
大水平視場(chǎng)寬度 | 在光束重合點(diǎn)時(shí)為0.9 mm | 在光束重合點(diǎn)時(shí)為0.7 mm | |
離子源壽命 | 1,000 hours | 1,000 hours | |
| 兩級(jí)差動(dòng)泵 | 兩級(jí)差動(dòng)泵 | |
飛行時(shí)間矯正 | 飛行時(shí)間矯正 | ||
15孔光闌 | 15孔光闌 | ||
電子光學(xué) | Elstar超高分辨率場(chǎng)發(fā)射鏡筒 | Elstar超高分辨率場(chǎng)發(fā)射鏡筒 | |
磁浸沒物鏡 | 磁浸沒物鏡 | ||
高穩(wěn)定性肖特基場(chǎng)發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流 | 高穩(wěn)定性肖特基場(chǎng)發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流 | ||
電子束分辨率 | 工作距離下 | 0.6 nm at 30 kV STEM | 0.6 nm at 30 kV STEM |
0.6 nm at 15 kV | 0.7 nm at 1 kV | ||
1.0 nm at 1 kV | 1.0 nm at 500 V (ICD) | ||
0.9 nm at 1 kV 減速模式* |
| ||
在束流重合點(diǎn) | 0.6 nm at 15 kV | 0.6 nm at 15 kV | |
1.5 nm at 1 kV 減速模式* and DBS* | 1.2 nm at 1 kV | ||
電子束參數(shù) | 電子束流范圍 | 0.8 pA to 176 nA | 0.8 pA to 100 nA |
加速電壓范圍 | 200 V – 30 kV | 350 V – 30 kV | |
著陸電壓 | 20 eV – 30 keV | 20 eV – 30 keV | |
大水平視場(chǎng)寬度 | 2.3 mm at 4 mm WD | 2.3 mm at 4 mm WD | |
探測(cè)器 | Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測(cè)器 (TLD-SE, TLD-BSE) | ||
Elstar i鏡筒內(nèi)SE/BSE 探測(cè)器 (ICD)* | |||
Elstar 鏡筒內(nèi) BSE 探測(cè)器 (MD)* | |||
樣品室內(nèi)Everhart-Thornley SE 探測(cè)器 (ETD) | |||
紅外相機(jī) | |||
高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測(cè)器(SE)* | |||
樣品室內(nèi)樣品導(dǎo)航彩色光學(xué)相機(jī)Nav-Cam Camera* | |||
可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測(cè)器(DBS)* | |||
可伸縮STEM 3+ 探測(cè)器* | |||
電子束流測(cè)量 | |||
樣品臺(tái)和樣品 | 樣品臺(tái) | 靈活五軸電動(dòng) | 壓電驅(qū)動(dòng)XYR軸的高精度五軸電動(dòng)工作臺(tái) |
XY | 110 mm | 150 mm | |
Z | 65 mm | 10 mm | |
R | 360° (連續(xù)) | 360° (連續(xù)) | |
傾斜 | -15° to +90° | -10° to +60° | |
大樣品高度 | 與優(yōu)中心點(diǎn)間隔85mm | 與優(yōu)中心點(diǎn)間隔55mm | |
大樣品質(zhì)量 | 樣品臺(tái)任意位置500 g | 樣品臺(tái)任意位置500 g | |
0° 傾斜時(shí)大5kg | |||
大樣品尺寸 | 直徑110 mm可沿樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí) | 直徑150 mm可沿樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí) | |
| 優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜 | 優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜 | |
